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廣州MOS管廠家,行業(yè)口碑領導者

廣州mos管廠家,行業(yè)口碑領導者。4. 柵源擊穿電壓bvgs
·在增加柵源電壓過程中,使柵極電流ig由零開始劇增時的vgs,稱為柵源擊穿電壓bvgs。
5. 低頻跨導gm
·在vds為某一固定數值的條件下 ,漏極電流的微變量和引起這個變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導
·gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力
·是表征mos管放大能力的一個重要參數
·一般在十分之幾至幾ma/v的范圍內
6. 導通電阻ron
·導通電阻ron說明了vds對id的影響 ,是漏極特性某一點切線的斜率的倒數
·在飽和區(qū),id幾乎不隨vds改變,ron的數值很大,一般在幾十千歐到幾百千歐之間
·由于在數字電路中 ,mos管導通時經常工作在vds=0的狀態(tài)下,所以這時的導通電阻ron可用原點的ron來近似
·對一般的mos管而言,ron的數值在幾百歐以內
7. 極間電容
·三個電極之間都存在著極間電容:柵源電容cgs 、柵漏電容cgd和漏源電容cds
·cgs和cgd約為1~3pf
·cds約在0.1~1pf之間
8. 低頻噪聲系數nf
·噪聲是由管子內部載流子運動的不規(guī)則性所引起的
·由于它的存在,就使一個放大器即便在沒有信號輸人時,在輸出端也出現不規(guī)則的電壓或電流變化
·噪聲性能的大小通常用噪聲系數nf來表示,它的單位為分貝(db)

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