熱缺陷（晶格位置缺陷)只要晶體的溫度高于絕對零度，原子就要吸收熱能而運動山東天岳，但由于固體質點是牢固結合在一起的山東天岳碳化硅，或者說晶體中每一個質點的運動必然受到周圍質點結合力的限制而只能以質點的平衡位置為中心作微小運動山東天岳先進材料，振動的幅度隨溫度升高而增大，溫度越高，平均熱能越大，而相應一定溫度的熱能是指原子的平均動能，當某些質點大于平均動能就要離開平衡位置，在原來的位置上留下一個空位而形成缺陷，實際上在任何溫度下總有少數質點擺脫周圍離子的束縛而離開原來的平衡位置，這種由于熱運動而產生的點缺陷——熱缺陷。熱缺陷兩種基本形式：a-弗侖克爾缺陷，b-肖特基缺陷（1）弗侖克爾缺陷具有足夠大能量的原子（離子）離開平衡位置后，擠入晶格間隙中，形成間隙原子離子），在原來位置上留下空位。特點：空位與間隙粒子成對出現，數量相等，晶體體積不發生變化。在晶體中弗侖克爾缺陷的數目多少與晶體結構有很大關系，格點位質點要進入間隙位，間隙必須要足夠大，如螢石（caf2）型結構的物質空隙較大山東天岳先進材料科技有限公司，易形成，而nacl型結構不易形成。總的來說，離子晶體，共價晶體形成該缺陷困難。
中科院物理研究所從2000年以來投入大量人力和物力進行了sic晶體關鍵生長技術的研發，憑借物理所多年在晶體生長的經驗和實力雄厚的科研力量，目前已躋身于全球幾個有能力生長2英寸sic半導體晶體的單位之一，同時物理所已設計和制造出具有自主知識產權的sic晶體生長爐，為規模化生產奠定了基礎，并具有明顯的價格優勢。該項目已具備了進行產業化的條件。??據悉，第三代半導體碳化硅產業化項目，被列入２００７年國家科技支撐計劃，此項目的順利實施，將帶動一系列下游以碳化硅為基片的寬禁帶半導體產業和光電產業等新興的高科技產業的發展。
目前，全球只有少數的大學和科研機構研發出了碳化硅晶體生長和加工技術，僅有美國能夠生產碳化硅晶片，國內碳化硅晶片的需求全部依賴進口，價格昂貴，市場供不應求。
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