靜態半導體存儲器sram r1rw0416dsb-2pr
sram芯片主要用于二級高速緩存（level2 cache)。sram是用六個晶體管組成的，是利用晶體管來存儲數據。sram芯片相相對于dram讀取速度是相對比較快，但相同面積下sram的容量要比其他類型的內存小。
part number density organization(bit) access time(ns) supply voltage(v) operating temperature (°c) packagetype
r1rw0416dsb-2sr 4mb x 16 12 3.0 to 3.6 0°c to 70°c tsopii(44)
r1rw0416dsb-2pr 4mb x 16 12 3.0 to 3.6 0°c to 70°c tsopii(44)
r1rw0416dsb-2pi 4mb x 16 12 3.0 to 3.6 -40°c to 85°c tsopii(44)
r1rw0416dsb-2lr 4mb x 16 12 3.0 to 3.6 0 °cto 70°c tsopii(44)
r1rw0416dsb-0pr 4mb x 16 10 3.0 to 3.6 0 °cto 70°c tsopii(44)
r1rw0416dsb-0pi 4mb x 16 10 3.0 to 3.6 -40°c to 85°c tsopii(44)
r1rw0416dge-2sr 4mb x 16 12 3.0 to 3.6 0°c to 70°c soj(44)
r1rw0416dge-2pr 4mb x 16 12 3.0 to 3.6 0°c to 70°c soj(44)
r1rw0416dge-2pi 4mb x 16 12 3.0 to 3.6 -40°c to 85°c soj(44)
r1rw0416dge-2lr 4mb x 16 12 3.0 to 3.6 0 °cto 70°c soj(44)
r1rw0408dge-2pr 4mb x 8 12 3.0 to 3.6 0 °cto 70°c soj(36)
r1rw0408dge-2pi 4mb x 8 12 3.0 to 3.6 -40°c to 85°c soj(36)
r1rw0408dge-2lr 4mb x 8 12 3.0 to 3.6 0 °cto 70°c soj(36)

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