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電腦式HMDS涂膠烤箱HMDS真空烘箱

加工定制品牌TATUNG
型號PVD-090-HMDS功率3000W
材質316不銹鋼溫度范圍RT+10~250℃℃
主要用途半導體,電子產品認證已認證


電腦式hmds涂膠烤箱hmds真空烘箱
hmds預處理真空烘箱(hmds真空鍍膜機)
(電腦式hmds涂膠烤箱)
一、hmds 預處理系統的必要性:
在半導體生產工藝中,光刻是集成電路圖形轉移重要的一個工藝環節,涂膠質量直接影響到光刻的質量,涂膠工藝顯得更為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數光刻膠是疏水的,而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的,這造成光刻膠和硅片的黏合性較差,尤其是正膠,顯影時顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處,容易造成漂條、浮膠等,導致光刻圖形轉移的失敗,同時濕法腐蝕容易發生側向腐蝕。增黏劑hmds(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況。將hmds涂到硅片表面后,經烘箱加溫可反應生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變為疏水,其疏水基可很好地與光刻膠結合,起著偶聯劑的作用。
二、產品特點:
1)外殼sus304不銹鋼材質,內膽316l不銹鋼材料;采用c型不銹鋼加熱管,均勻分布在內膽外壁,內膽內無任何電氣配件及易燃易爆裝置;采用鋼化、防彈雙層玻璃觀察窗,便于觀察工作室內物品實驗情況。無發塵材料,適用百級光刻間凈化環境使用。
2)箱門閉合松緊能調節,整體成型的硅橡膠門封圈,確保箱內保持高真空度。
3) 溫度采用微電腦pid控制,系統具有自動控溫,定時,超溫報警等,lcd液晶顯示,觸摸式按鈕,簡單易用,性能穩定可靠.
4)智能化觸摸屏控制系統配套日本三菱plc模塊可供用戶根據不同制程條件改變程序、溫度、真空度及每一程序時間。
5)hmds氣體密閉式自動吸取添加設計,使真空箱密封性能極好,確保hmds氣體無外漏顧慮。
三、技術參數:
型號:pvd-090-hmds,容積90l,控溫范圍r.t.+10~250℃,溫度分辨率:0.1℃
控溫精度:±0.5℃,托架數量:2pcs,真空度:<133pa(真空度范圍100~100000pa)
,真空泵:dm4(外置,316不銹鋼波紋管連接),電源:ac220/50hz,額定功率:3.0kw
內膽尺寸mm:450x450x450 (w*d*h),外形尺寸mm:650x640x910 (w*d*h)
四、hmds預處理系統的原理:
hmds預處理系統通過對烘箱hmds預處理過程的工作溫度、處理時間、處理時保持時間等參數可以在硅片、基片表面均勻涂布一層hmds,降低了hmds處理后的硅片接觸角,降低了光刻膠的用量,提高光刻膠與硅片的黏附性。
五、hmds預處理系統的一般工作流程:
首先確定烘箱工作溫度。典型的預處理程序為:打開真空泵抽真空,待腔內真空度達到某一高真空度后,開始充入氮氣,充到某低真空度后,再次進行抽真空、充入氮氣的過程,到達設定的充入氮氣次數后,開始保持一段時間,使硅片充分受熱,減少硅片表面的水分。然后再次開始抽真空,充入hmds氣體,在到達設定時間后,停止充入hmds藥液,進入保持階段,使硅片充分與hmds反應。當達到設定的保持時間后,再次開始抽真空。充入氮氣,完成整個作業過程。hmds與硅片反應機理如圖:首先加熱到100℃-200℃,去除硅片表面的水分,然后hmds與表面的oh一反應,在硅片表面生成硅醚,消除氫鍵作,從而使極性表面變成非極性表面。整個反應持續到空間位阻(三甲基硅烷基較大)阻止其進一步反應。
六、尾氣排放:多余的hmds蒸汽(尾氣)將由真空泵抽出,排放到專用廢氣收集管道。在無專用廢氣收集管道時需做專門處理。
七、產品操作控制系統平臺配置:
dm4直聯旋片式真空泵,aiset溫控器控制溫度,日本三菱可編程觸摸屏操作模塊,固態繼電器,加急停裝置。
選購件:富士溫控儀表(溫度與plc聯動)、三色燈、壓力記錄儀和溫度記錄儀。
其它選配:
1)加急停裝置(標配已含)
2)波紋管2米或3米(標配含1米)
3)富士溫控儀表(溫度與plc聯動)
4)三色燈
5)增加hmds液體瓶
6)下箱柜子(304不銹鋼)
7)壓力記錄儀(帶曲線)
8)溫度記錄儀(帶曲線)
備注:選配壓力記錄儀、溫度記錄儀時,因工藝需要改變設備整個外箱結構,請參考實物圖。外殼采用ss41粉末靜電噴涂,內膽采用316l不銹鋼,外箱尺寸為(w*d*h)mm:980x655x1600(含下箱柜高700),下箱柜空置。
其它規格型號技術參數:
pvd-210-hmds,電源電壓:ac380v/50hz,輸入功率:4000w,控溫范圍:室溫+10℃-250℃,溫度分辨率:0.1℃,溫度波動度:±0.5℃,真空度極限:<133pa,容積:210l,內室尺寸(mm):560*640*600,外形尺寸(mm):720*820*1050,載物托架:3塊,時間單位:分鐘

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